Модуль HiPak DIODE Module 5SLD 0600J650100

335,000.00 

Доступно для предзаказа

Артикул: 5SLD 0600J650100 Категории: , Метки: ,

Срок поставки по предзаказу 120 к.д.

ABB 5SLD 0600J650100

IGBT Модуль HiPak DIODE Module

Описание

5SLD-0600J650100

Основные характеристики

Parameter Symbol Conditions min max Unit
Repetitive peak reverse
voltage
VRRM 6500 V
DC forward current IF 600 A
Peak forward current IFRM tp = 1ms 1200 A
Total power dissipation Ptot Tc = 25 °C, per diode 4760 W
Surge current IFSM
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp = 10 ms, half-sinewave
6000 A
Isolation voltage Visol 1 min, f = 50 Hz 10200 V
Junction temperature Tvj 125 °C
Junction operating temperature Tvj(op) -50 125 °C
Case temperature Tc -50 125 °C
Storage temperature Tstg -50 125 °C

Детали

Вес 1.33 кг
Габариты 14 × 19 × 5 см